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【成果简介】吉林大学张立军课题组首次将介电屏蔽效应作为本征物理性质，瓦房务改基于高通量计算材料设计方法，瓦房务改开展了新型半导体电子材料的优化设计研究，研究成果以DielectricBehaviorasaScreeninRationalSearchesforElectronicMaterials:MetalPnictideSulfosalts为题发表在《JournaloftheAmericanChemicalSociety》上[J.Am.Chem.Soc. 140,18058 (2018)]。Sr3Sb4S9和SrBi2S4的理论最高光电转换效率高达30%，店增电业点项值得进一步实验和理论研究。
【图文导读】图一：革试将介电性质作为标准，针对三元金属-V族元素-硫化物体系开展半导体材料设计的可行性分析。对于传统半导体材料，目建载流子迁移率也与介电常数存在紧密的正向对应关系。